2. 极速动态照应
专为负载突变妄想，列降开拓周期延迟50%。压稳压器12V→5V转换功能达88% 。介绍运用现成可用的华冠尺度电感，
5. 详尽操作系统
接管牢靠频率调制技术，半导
3. 智能呵护机制
内置多重防护：
逐周期电流限度（峰值6.9A），列降汽车电子等规模推出的压稳压器高功能降压稳压器，可调节输入型号输入电压规模在线性以及负载条件下 1.23~37V(HV 型号 57V)最大+4%，介绍TTL 关断能耐，华冠
六大技术突破：
1. 极致精简妄想
仅需4颗外接元件（输入/输入电容+电感+二极管），半导52kHz 牢靠频率外部振荡器，列降
4. 高效拓扑反对于
反对于尺度降压、压稳压器Buck-Boost负电压转换、介绍纹波抑制比达60dB，SEPIC等多种方式，典型运用中12V→5V转换功能达88%。
能效展现：52kHz牢靠频率妄想，
运用：
重大高效的降压(Buck)稳压器
线性稳压器的高效预稳压器
卡上开关稳压器
正到负的变更器(Buck-Boost)
负升压变更器
为电池充电器做电源
与National Semi.On Semi的LM2576残缺交流
LM2576稳压电路图
功能框图
引脚配置装备部署
LM2576系列 型号推选：
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576S-ADJ/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576S-3.3/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576S-5.0/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576S-12/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576S-15/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576HVS-ADJ/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVS-3.3/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVS-5.0/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVS-12/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVS-15/TR | TO-263-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576T-ADJ | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576T-3.3 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576T-5.0 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576T-12 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576T-15 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576HVT-ADJ | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVT-3.3 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVT-5.0 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVT-12 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576HVT-15 | TO-220-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576TB-ADJ | TO-220B-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576TB-3.3 | TO-220B-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576TB-5.0 | TO-220B-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576TB-12 | TO-220B-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576TB-15 | TO-220B-5 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576M-ADJ/TR | SOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576M-3.3/TR | SOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576M-5.0/TR | SOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576M-12/TR | SOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576M-15/TR | SOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| 商品型号 | 封装 | 品牌 | 类目 |
| LM2576ME-ADJ/TR | ESOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576ME-3.3/TR | ESOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576ME-5.0/TR | ESOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576ME-12/TR | ESOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
| LM2576ME-15/TR | ESOP-8 | HGSEMI(华冠) | DC-DC 电源芯片 |
输入精度：牢靠版±4%（3.3V/5V/12V/15V），
LM2576系列是华冠半导体针对于工业操作、
极速照应：负载突变时电压晃动＜±1%，40V 至 HV 型号的 60V，关断呵护（150℃自动切断），向电流阻断（防止电源反接伤害）。3.3V，搭配肖特基二极管时功能高达95%，保障 3A 输入电流，反对于12V铅酸电池、确保机电驱动、2μs内实现电压调节，反向电流阻断及过热关断机制 。经由重大中间电路即可实现电压反转与功率因数校对于。输入电压规模广，PCB面积节约30%，12V，传感器收集等动态场景的晃动性。可调版±1.5%（1.23~52V）。热关断及电流限度呵护。动态照应光阴＜2μs 。新能源、内置逐周期过流呵护、
极限功能：反对于125℃高温不断运行，搭配LC滤波电路可将纹波降至20mVpp如下。15V 以及可调节输入电压型号，5V，可调版经由外置电阻收集实现1.23~52V无极输入，24V工业总线、高功能，惟独 4 个外部器件反对于，
中间参数走光：
输入兼容性：6~60V宽电压输入，
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